• 品       牌：CR MICRO(华润微)
• 型       号： CS9N90ANHD
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• 商品编号： G11950317
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• 封装规格： TO-3P
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• 商品描述： CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准 CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准