• 品       牌：Linearin(先积)
• 型       号： LTC8551XS8/R8
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• 商品编号： G6577066
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• 封装规格： SOIC-8
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• 商品描述： LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术，可对输入失调电压进行校正，实现极低的失调和漂移。该方法持续测量并补偿输入失调，消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率，而电源电流仅为125 μA。这些器件具有单位增益稳定性，并且具备良好的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR）。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用，这类应用不能容忍误差源，即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作，适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰（EMI）保护功能，可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰，并具备高静电放电（ESD）保护（5 kV HBM）。所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。 LTC855x系列放大器采用获得专利的快速阶跃响应斩波稳定技术，可对输入失调电压进行校正，实现极低的失调和漂移。该方法持续测量并补偿输入失调，消除了随时间和温度变化产生的漂移以及1/f噪声的影响。这一设计突破实现了1.5 MHz的增益带宽积和1.2 V/μs的高压摆率，而电源电流仅为125 μA。这些器件具有单位增益稳定性，并且具备良好的电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR）。 LTC855x系列非常适合需要对低电平信号进行精密放大的应用，这类应用不能容忍误差源，即使在需要高带宽和快速转换的情况下也是如此。轨到轨输入和输出摆幅使高端和低端检测变得轻松。LTC855x系列可在低至1.8 V的单电源电压下工作，适用于双节电池应用。 LTC855x运算放大器增强了电磁干扰（EMI）保护功能，可最大程度减少来自外部源的任何电磁干扰，并具备高静电放电（ESD）保护（5 kV HBM）。所有型号均在 -40 °C至 +125 °C的扩展工业温度范围内进行了规格定义。