• 品       牌：TI(德州仪器)
• 型       号： UCC27611DRVT
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• 商品编号： G0491948
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• 封装规格： SON-6
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• 商品描述： UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。; 不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。 UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。; 不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。