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购物车 ESD抑制器/TVS二极管 MSKSEMI ESD5451N-MS 替代
- 品 牌：MSKSEMI(美森科)
- 型 号： ESD5451N-MS
- 商品编号： G6556520
- 封装规格： DFN1006
- 商品描述： 峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15PF-18PF
- 商品详情
商品介绍
峰值脉冲功率（tp=8/20s）(PPP):80W 钳位电压（VC): 10V 工作电压（VRWM）:5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR）:5.6V-8.4V 结电容（CJ）:15PF-18PF
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：ESD5451N-MS 品牌：MSKSEMI(美森科) | ESD抑制器/TVS二极管 MSKSEMI ESD5451N-MS | --- | 0（1起订） | ¥0.05130 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.05130 1000 +￥0.04050 3000 +￥0.03456 10000 +￥0.02787 50000 +￥0.02484 100000 +￥0.02312 | 当前型号 | 加入购物车 |
| PIN to PIN | EEPROM存储器 | --- | 2（10起订） | ¥2.44491 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.44491 10 +￥1.90599 30 +￥1.67508 | ESD5451N-MS(MSKSEMI)和M24C01-WMN6P(ST)的区别 | |
| PIN to PIN | EEPROM存储器 EEPROM 存储器 IC 1Kb I2C 400 kHz 900 ns 8-SOIC | 数据手册 | 1507（起订） | ¥2.20684 ▼ 数量国内含税 5000 +￥2.20684 | ESD5451N-MS(MSKSEMI)和M24C01-WMN6TP/S(STMICROELECTRONICS)的区别 | |
 | PIN to PIN | EEPROM存储器 | 数据手册 | --- | --- | --- | |
| PIN to PIN | EEPROM存储器 | 数据手册 | --- | --- | --- | |
 | PIN to PIN | EEPROM存储器 | 数据手册 | --- | --- | --- |
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