商品描述: STC4301D 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于如电源管理等低压应用,这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力 STC4301D 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于如电源管理等低压应用,这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力