• 品       牌：ISSI(芯成半导体)
• 型       号： IS62WV25616EBLL-45TLI
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• 商品编号： G2168315
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• 封装规格： TSOPII-44-10.2mm
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• 商品描述： 高速、低功耗，4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。 高速、低功耗，4M位静态随机存取存储器，组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE#）控制存储器的读写操作。数据字节允许进行高字节（UB#）和低字节（LB#）访问。采用JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mm x 8mm）和44引脚TSOP（II型）封装。