商品描述: ME7804 G N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且线路功率损耗低的电池供电电路 ME7804 G N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且线路功率损耗低的电池供电电路