商品描述: ME4894 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且具有低在线功率损耗的电池供电电路 ME4894 - G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且具有低在线功率损耗的电池供电电路