• 品       牌：Microchip(微芯科技)
• 型       号： PIC18F452-E/P
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• 商品编号： G1181829
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• 封装规格： PDIP-40
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• 商品描述： 28/40引脚高性能、增强型闪存微控制器，带10位A/D# 高性能RISC CPU: C编译器优化的架构/指令集 源代码与PIC16和PIC17指令集兼容 线性程序存储器寻址至32 K字节 线性数据存储器寻址至1.5 K字节# 外设特性: 高电流吸入/输出 25 mA/25 mA 三个外部中断引脚 Timer0模块：8位/16位定时器/计数器，带8位可编程预分频器 Timer1模块：16位定时器/计数器 Timer2模块：8位定时器/计数器，带8位周期寄存器（PWM的时间基准） Timer3模块：16位定时器/计数器 辅助振荡器时钟选项 Timer1/Timer3 两个捕获/比较/PWM (CCP) 模块。CCP引脚可以配置为： 捕获输入：捕获是16位，最大分辨率6.25 ns (TCY/16) 比较是16位，最大分辨率100 ns (TCY) PWM输出：PWM分辨率是1到10位，最大PWM频率@8位分辨率 = 156 kHz，10位分辨率 = 39 kHz 主同步串行端口 (MSSP) 模块，两种工作模式： 3线SPI（支持所有4种SPI模式） I2C主模式和从模式 可寻址USART模块：支持RS-485和RS-232 并行从端口 (PSP) 模块# 模拟特性: 兼容10位模数转换器模块 (A/D)，具有： 快速采样率 在SLEEP期间可进行转换 线性度 ≤1 LSB 可编程低电压检测 (PLVD) 支持低电压检测中断 可编程掉电复位 (BOR)# 特殊微控制器特性: 典型100,000次擦写循环增强型闪存程序存储器 1,000,000次擦写循环数据EEPROM存储器 闪存/数据EEPROM保持时间：>40年 软件控制下的自编程 上电复位 (POR)、上电定时器 (PWRT) 和振荡器启动定时器 (OST) 带有专用片上RC振荡器的看门狗定时器 (WDT)，以实现可靠操作 可编程代码保护 节电SLEEP模式 可选振荡器选项，包括： 4倍相位锁定环（主振荡器） 辅助振荡器（32 kHz）时钟输入 单电源5V在线串行编程 (ICSP) 通过两个引脚 通过两个引脚进行在线调试 (ICD)# CMOS技术: 低功耗、高速闪存/EEPROM技术 完全静态设计 宽工作电压范围（2.0V至5.5V） 工业级和扩展温度范围 低功耗： 典型值<1.6 mA @ 5V, 4 MHz 典型值25 μA @ 3V, 32 kHz 典型待机电流<0.2 μA 28/40引脚高性能、增强型闪存微控制器，带10位A/D# 高性能RISC CPU: C编译器优化的架构/指令集 源代码与PIC16和PIC17指令集兼容 线性程序存储器寻址至32 K字节 线性数据存储器寻址至1.5 K字节# 外设特性: 高电流吸入/输出 25 mA/25 mA 三个外部中断引脚 Timer0模块：8位/16位定时器/计数器，带8位可编程预分频器 Timer1模块：16位定时器/计数器 Timer2模块：8位定时器/计数器，带8位周期寄存器（PWM的时间基准） Timer3模块：16位定时器/计数器 辅助振荡器时钟选项 Timer1/Timer3 两个捕获/比较/PWM (CCP) 模块。CCP引脚可以配置为： 捕获输入：捕获是16位，最大分辨率6.25 ns (TCY/16) 比较是16位，最大分辨率100 ns (TCY) PWM输出：PWM分辨率是1到10位，最大PWM频率@8位分辨率 = 156 kHz，10位分辨率 = 39 kHz 主同步串行端口 (MSSP) 模块，两种工作模式： 3线SPI（支持所有4种SPI模式） I2C主模式和从模式 可寻址USART模块：支持RS-485和RS-232 并行从端口 (PSP) 模块# 模拟特性: 兼容10位模数转换器模块 (A/D)，具有： 快速采样率 在SLEEP期间可进行转换 线性度 ≤1 LSB 可编程低电压检测 (PLVD) 支持低电压检测中断 可编程掉电复位 (BOR)# 特殊微控制器特性: 典型100,000次擦写循环增强型闪存程序存储器 1,000,000次擦写循环数据EEPROM存储器 闪存/数据EEPROM保持时间：>40年 软件控制下的自编程 上电复位 (POR)、上电定时器 (PWRT) 和振荡器启动定时器 (OST) 带有专用片上RC振荡器的看门狗定时器 (WDT)，以实现可靠操作 可编程代码保护 节电SLEEP模式 可选振荡器选项，包括： 4倍相位锁定环（主振荡器） 辅助振荡器（32 kHz）时钟输入 单电源5V在线串行编程 (ICSP) 通过两个引脚 通过两个引脚进行在线调试 (ICD)# CMOS技术: 低功耗、高速闪存/EEPROM技术 完全静态设计 宽工作电压范围（2.0V至5.5V） 工业级和扩展温度范围 低功耗： 典型值<1.6 mA @ 5V, 4 MHz 典型值25 μA @ 3V, 32 kHz 典型待机电流<0.2 μA