alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi VBZE5N20

数量国内价格
1+ ¥1.8036
10+ ¥1.7604
30+ ¥1.7388
100+ ¥1.7172

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 2(1起订)

1 400000(1起订)

数量:
X1.8036(单价)
总价:
¥ 1.8036

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: VBZE5N20
    点击复制
  • 商品编号: G12087359
    点击复制
  • 封装规格: TO-252
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能的单路N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于中功率电子设备和模块,包括电源逆变器、电动工具驱动器和工业自动化控制系统等领域。TO252;N—Channel沟道,200V;5A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

  • 商品详情
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBZE5N20

MOSFETs VBsemi VBZE5N20
--- 0(1起订)

¥1.80360 ▼

数量国内含税

1 +¥1.80360

10 +¥1.76040

30 +¥1.73880

100 +¥1.71720

当前型号加入购物车

VBZE5N20VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBZE5N20 价格参考¥ 1.8036 。 VBsemi VBZE5N20 封装/规格: TO-252(DPAK), 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能的单路N沟道场效应管,采用Trench技术,适用于中功率电子设备和模块,包括电源逆变器、电动工具驱动器和工业自动化控制系统等领域。TO252;N—Channel沟道,200V;5A;RDS(ON)=850mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;。你可以下载 VBZE5N20 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBZE5N20

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照