• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号： VBZFB06N02
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• 商品编号： DS39662748
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• 封装规格： TO-251
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• 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能、低损耗和稳定性的特点，适用于各种高功率和高频率控制的场合，能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。TO251；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V； 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能、低损耗和稳定性的特点，适用于各种高功率和高频率控制的场合，能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。TO251；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；