商品描述: SVF4N65RD/M/MJ/F/T 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微电子专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术生产。改进的工艺和单元结构经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能够承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于交直流电源、直流转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。 SVF4N65RD/M/MJ/F/T 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微电子专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术生产。改进的工艺和单元结构经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能够承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于交直流电源、直流转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。