GT125N10T 由 Goford 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 GT125N10T 价格参考￥ 7.884 。 Goford GT125N10T 封装/规格： TO-220-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):101.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1246nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):15.1pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);。你可以下载 GT125N10T 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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