商品描述: 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、器件设计坚固、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式,可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接,功率耗散水平最高可达1 W 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、器件设计坚固、低导通电阻和高性价比的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式封装样式,可在标准0.1英寸引脚间距上进行多种组合堆叠。双漏极可作为与安装表面的热连接,功率耗散水平最高可达1 W