• 品       牌：SEMTECH(升特)
• 型       号： RCLAMP3374N.TCT
  点击复制
• 商品编号： G3692695
  点击复制
• 封装规格： SMD,3x2mm
  点击复制
• 商品描述： RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。 RailClamp TVS二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件而设计，使其免受由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压影响。独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和一个TVS二极管集成在单个封装中。RClamp3374N旨在替代多达两个用于板级千兆以太网（GbE）保护的元件。每个器件设计用于保护两对线路。这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，8/20μs），同时保持低于5pF的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于诸如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用的高风险环境中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低箝位电压，并显著降低泄漏电流和电容。它具有3.3伏的实际工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用10引脚的SLP3020N10封装。尺寸为3.0×2.0×0.60mm。引脚采用无铅NiPdAu镀层。