alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi VBP1606

数量国内价格
1+ ¥15.7572
10+ ¥13.6944
30+ ¥12.3984
90+ ¥11.07
450+ ¥10.476
1050+ ¥10.2168

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 12(1起订)

1 450000(1起订)

数量:
X15.7572(单价)
总价:
¥ 15.7572

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: VBP1606
    点击复制
  • 商品编号: DS39670207
    点击复制
  • 封装规格: TO-247AC-3
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,适用于各种领域的功率电子应用。TO247;N—Channel沟道,60V;150A;RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2.5~3.5V;

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBP1606

MOSFETs VBsemi VBP1606
--- 0(1起订)

¥15.75720 ▼

数量国内含税

1 +¥15.75720

10 +¥13.69440

30 +¥12.39840

90 +¥11.07000

450 +¥10.47600

1050 +¥10.21680

当前型号加入购物车

VBP1606VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBP1606 价格参考¥ 15.7572 。 VBsemi VBP1606 封装/规格: TO-247AC-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):175W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;。你可以下载 VBP1606 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBP1606

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照