alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

VBL1101N

数量国内价格
1+ ¥9.0072
10+ ¥7.5708
30+ ¥6.7824
100+ ¥5.886
500+ ¥4.5576
800+ ¥4.3848

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 207(1起订)

1 44(1起订)

数量:
X9.0072(单价)
总价:
¥ 9.0072

  • 品       牌:VBsemi(微碧半导体)
  • 型       号: VBL1101N
    点击复制
  • 商品编号:
    点击复制
  • 封装规格: TO-263(D2PAK)
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型MOSFET,采用Trench工艺制造,具有较高的漏极电流能力和低导通电阻,适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263;N—Channel沟道,100V;100A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

  • 商品详情
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBL1101N

VBL1101N
--- 0(1起订)

¥9.00720 ▼

数量国内含税

1 +¥9.00720

10 +¥7.57080

30 +¥6.78240

100 +¥5.88600

500 +¥4.55760

800 +¥4.38480

当前型号加入购物车

VBL1101NVBsemi(微碧半导体) 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBL1101N 价格参考¥ 9.0072 。 VBsemi(微碧半导体) VBL1101N 封装/规格: TO-263(D2PAK), 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型MOSFET,采用Trench工艺制造,具有较高的漏极电流能力和低导通电阻,适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263;N—Channel沟道,100V;100A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;。你可以下载 VBL1101N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBL1101N

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照