• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号： VBL1101N
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• 商品编号： DS0141930
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• 封装规格： TO-263
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• 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；