alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs VBsemi VBE1206N

数量国内价格
1+ ¥7.9704
10+ ¥7.8084
30+ ¥7.7112
100+ ¥6.7392

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 27(1起订)

1 450000(1起订)

数量:
X7.9704(单价)
总价:
¥ 7.9704

  • 品       牌:VBsemi(微碧)
  • 型       号: VBE1206N
    点击复制
  • 商品编号: DS0141892
    点击复制
  • 封装规格: TO-252
    点击复制
  • 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单极性N型场效应管,采用Trench技术,适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252;N—Channel沟道,200V;30A;RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

  • 商品详情
热销型号1 / 3

近似替代型号( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:VBE1206N

MOSFETs VBsemi VBE1206N
--- 0(1起订)

¥7.97040 ▼

数量国内含税

1 +¥7.97040

10 +¥7.80840

30 +¥7.71120

100 +¥6.73920

当前型号加入购物车

VBE1206NVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 VBE1206N 价格参考¥ 7.9704 。 VBsemi VBE1206N 封装/规格: TO-252-2(DPAK), MOS管 N-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=55mΩ@10V TO252。你可以下载 VBE1206N 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: VBE1206N

Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照