• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号： FQP6N80C
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• 商品编号： G3820355
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• 封装规格： TO-220
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• 商品描述： 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。