alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs Vishay SIR182DP-T1-RE3

数量国内价格
1+ ¥4.9572
10+ ¥4.4388
30+ ¥4.1796
100+ ¥3.72438
500+ ¥3.14982
1000+ ¥3.06774

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 1289(1起订)

1 0(1起订)

1 5170(1起订)

数量:
X4.9572(单价)
总价:
¥ 4.9572

  • 品       牌:Vishay(威世)
  • 型       号: SIR182DP-T1-RE3
    点击复制
  • 商品编号: G4665579
    点击复制
  • 封装规格: PowerPAKSO-8
    点击复制
  • 商品描述: 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数(FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用:同步整流。 初级侧开关

  • 商品详情
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:SIR182DP-T1-RE3

MOSFETs Vishay SIR182DP-T1-RE3
--- 0(1起订)

¥4.95720 ▼

数量国内含税

1 +¥4.95720

10 +¥4.43880

30 +¥4.17960

100 +¥3.72438

500 +¥3.14982

1000 +¥3.06774

当前型号加入购物车

SIR182DP-T1-RE3Vishay 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyfuture 等渠道进行代购。 SIR182DP-T1-RE3 价格参考¥ 4.9572 。 Vishay SIR182DP-T1-RE3 封装/规格: PPAK8_4.9X5.89MM, MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=31.4A RDS(ON)=2.8mΩ@10V PowerPAK®SO-8。你可以下载 SIR182DP-T1-RE3 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: SIR182DP-T1-RE3

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照