• 品       牌：ON(安森美)
• 型       号： FQD1N60CTM
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• 商品编号： G3821541
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• 封装规格： TO-252
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• 商品描述： 1 A, 600 V, RDS(on)=11.5 Ω (Max.) @ VGS=10 V, ID=0.5 A 该N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。 1 A, 600 V, RDS(on)=11.5 Ω (Max.) @ VGS=10 V, ID=0.5 A 该N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别定制，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。