• 品       牌：CR MICRO(华润微)
• 型       号： CS12N06AE-G
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• 商品编号： G11724030
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• 封装规格： SOP-8
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• 商品描述： CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），它运用高密度沟槽技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准 CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），它运用高密度沟槽技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为SOP - 8，符合RoHS标准