• 品       牌：LONTEN
• 型       号： LND7N65D
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• 商品编号：
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• 封装规格： TO-220F
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• 商品描述： 该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）7A，最大导通电阻（RDS(on)）1.4Ω，典型栅极电荷（Qg）20.7nC 该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此制成的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。漏源击穿电压（VDSS）650V，漏极电流（ID）7A，最大导通电阻（RDS(on)）1.4Ω，典型栅极电荷（Qg）20.7nC