• 品       牌：VBsemi(微碧)
• 型       号： VBM1101N
  点击复制
• 商品编号： DS0141940
  点击复制
• 封装规格： ITO-220AB-3
  点击复制
• 商品描述： 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块，如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V； 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块，如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。TO220；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；