alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • https://www.hqchip.com/Public/img/nob.png

MOSFETs Toshiba TK100E08N1,S1X(S

数量国内价格
1+ ¥10.2708
10+ ¥10.0008
50+ ¥9.828

交货地:

1国内(含增税) 交期(工作日): 4-7工作日

库存:

1 2(1起订)

1 2(1起订)

1 2(1起订)

数量:
X10.2708(单价)
总价:
¥ 10.2708

  • 品       牌:Toshiba(东芝)
  • 型       号: TK100E08N1,S1X(S
    点击复制
  • 商品编号: G4600995
    点击复制
  • 封装规格: TO-220
    点击复制
  • 商品描述: 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:开关稳压器

  • 商品详情
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:TK100E08N1,S1X(S

MOSFETs Toshiba TK100E08N1,S1X(S
--- 0(1起订)

¥10.27080 ▼

数量国内含税

1 +¥10.27080

10 +¥10.00080

50 +¥9.82800

当前型号加入购物车

TK100E08N1,S1X(SToshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 TK100E08N1,S1X(S 价格参考¥ 10.2708 。 Toshiba TK100E08N1,S1X(S 封装/规格: TO-220-3, MOSFETs N沟道 Vdss:80V Id:100A Pd:255W TO-220。你可以下载 TK100E08N1,S1X(S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: TK100E08N1,S1X(S

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照