商品描述: UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型(HBM)浪涌应力 UniFET™ II MOSFET是基于先进的平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的人体模型(HBM)浪涌应力