• 品       牌：Vishay(威世)
• 型       号： SIRA01DP-T1-GE3
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• 商品编号： G5052876
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• 封装规格： SO-8
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• 商品描述： 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的Qg d “米勒”电荷和Q gd/Q gs 比 <1。 100% R g 和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：适配器和充电器开关。 负载开关 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的Qg d “米勒”电荷和Q gd/Q gs 比 <1。 100% R g 和UIS测试。 RoHS合规，无卤。应用：适配器和充电器开关。 负载开关