• 品       牌：Infineon(英飞凌)
• 型       号： IRF4104SPBF
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• 商品编号： G0324677
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• 封装规格： TO-263-2
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• 商品描述： HEXFET Power MOSFET利用最新加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩产生能力。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。 HEXFET Power MOSFET利用最新加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩产生能力。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。