图像仅供参考，请参阅产品规格书

CS1N60A4H

数量国内价格
5+ ￥0.72058
50+ ￥0.48161
150+ ￥0.34828
500+ ￥0.2932
2500+ ￥0.26869
5000+ ￥0.254

数量	国内价格
5+	￥0.72058
50+	￥0.48161
150+	￥0.34828
500+	￥0.2932
2500+	￥0.26869
5000+	￥0.254

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 1709（1起订）

合作库存的价格参考：
数量	国内含税
5+	￥0.72058
50+	￥0.48161
150+	￥0.34828
500+	￥0.2932
2500+	￥0.26869
5000+	￥0.254

数量：

X0.72058（单价）

总价：

￥ 0.72058

加入购物车立即购买

品牌：CR MICRO
型号： CS1N60A4H
点击复制
商品编号：
点击复制
封装规格： TO-252
点击复制
商品描述： CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

商品详情

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：CS1N60A4H 品牌：CR MICRO	CS1N60A4H CS1N60A4H	---	0（1起订）	¥0.72058 ▼ 数量国内含税 5 +￥0.72058 50 +￥0.48161 150 +￥0.34828 500 +￥0.29320 2500 +￥0.26869 5000 +￥0.25400	当前型号	加入购物车

CS1N60A4H 由华润华晶设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 CS1N60A4H 价格参考￥ 0.72058 。华润华晶 CS1N60A4H 封装/规格： TO-252, CS1N60 A4H是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准。你可以下载 CS1N60A4H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： CS1N60A4H

元器件商品 0

CS1N60A4H

数量国内价格
5+ ￥0.72058
50+ ￥0.48161
150+ ￥0.34828
500+ ￥0.2932
2500+ ￥0.26869
5000+ ￥0.254

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 1709（1起订）

替代参考（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

CS1N60A4H

数量国内价格5+ ￥0.72058 50+ ￥0.48161 150+ ￥0.34828 500+ ￥0.2932 2500+ ￥0.26869 5000+ ￥0.254

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日）： 4-7工作日

库存： 1 1709（1起订）

替代参考（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
5+ ￥0.72058
50+ ￥0.48161
150+ ￥0.34828
500+ ￥0.2932
2500+ ￥0.26869
5000+ ￥0.254

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）： 4-7工作日

库存：
1 1709（1起订）

替代参考（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）