• 品       牌：DIODES(美台)
• 型       号： BC857BLP-7
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• 商品编号： G3515363
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• 封装规格： DFN-3L(0.6x1)
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• 商品描述： 特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性 特性：BVCEO >-45V。 高集电极电流：IC =-100mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可降低板外轮廓。 互补NPN类型：BC847BLP。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，具有高可靠性