图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs ST SCT10N120

数量国内价格
600+ ￥0

数量	国内价格
600+	￥0

ickey的价格参考：
数量	国内含税
600+	￥0

品牌：ST(意法半导体)
型号： SCT10N120
点击复制
商品编号： G3520857
点击复制
封装规格：
点击复制
商品描述： STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚

商品详情
技术文档

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：SCT10N120 品牌：ST(意法半导体)	MOSFETs ST SCT10N120 MOSFETs ST SCT10N120	数据手册	0（1起订）	¥0.00000 ▼ 数量国内含税 600 +￥0.00000	当前型号	加入购物车

SCT10N120 由 ST 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 digikeyrstmeickeyfuture 等渠道进行代购。 SCT10N120 价格参考￥ 0 。 ST SCT10N120 封装/规格： TO-247, 碳化硅功率MOSFET，1200 V、12 A、520 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247封装。你可以下载 SCT10N120 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： SCT10N120

元器件商品 0

MOSFETs ST SCT10N120

数量国内价格
600+ ￥0

合作库存海外代购

交货地：

库存：
1 6000（1起订）
1 600（1起订）

品牌：ST(意法半导体)
型号： SCT10N120
点击复制
商品编号： G3520857
点击复制
封装规格：
点击复制
商品描述： STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚

替代参考（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs ST SCT10N120

数量国内价格600+ ￥0

合作库存海外代购

交货地：

库存： 1 6000（1起订） 1 600（1起订）

替代参考（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内价格
600+ ￥0

库存：
1 6000（1起订）
1 600（1起订）

替代参考（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）