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MOSFETs Infineon IPP086N10N3 G

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品牌：Infineon(英飞凌)
型号：IPP086N10N3 G
商品编号：DS0183048
封装规格：TO-220-3
商品描述： N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC
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	型号：IPP086N10N3 G 品牌：Infineon(英飞凌)	MOSFETs MOSFETs Infineon IPP086N10N3 G MOSFETs Infineon IPP086N10N3 G	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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IPP086N10N3 G 由 Infineon 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 IPP086N10N3 G 价格参考￥。 Infineon IPP086N10N3 G 封装/规格： TO-220-3, N沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC。你可以下载 IPP086N10N3 G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： IPP086N10N3 G

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型号：IPP086N10N3 G
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品牌：Infineon(英飞凌)
型号：IPP086N10N3 G
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