alternative text

图像仅供参考,请参阅产品规格书

  • //file.elecfans.com/web2/M00/20/DD/pYYBAGGfnBiAAP0bAAMKkwx5E64449.png?_t=1640048124

IGBT ON FGB3245G2-F085

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: FGB3245G2-F085
    点击复制
  • 商品编号: G5443333
    点击复制
  • 封装规格: TO-263(D²Pak)
    点击复制
  • 商品描述: FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT,有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈,在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护,以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V,可实现需要更高火花电压的系统。

  • 商品详情
  • 技术文档
  • 相关问答
热销型号1 / 3

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:FGB3245G2-F085
品牌:ON(安森美)
IGBT
IGBT ON FGB3245G2-F085
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
  • 型号推荐
  • 最新产品推荐
  • 品牌分类

FGB3245G2-F085ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FGB3245G2-F085 价格参考¥ 。 ON FGB3245G2-F085 封装/规格: TO-263(D²Pak), FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK 2 技术设计的 N 沟道 IGBT,有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈,在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护,以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V,可实现需要更高火花电压的系统。。你可以下载 FGB3245G2-F085 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 IGBT 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: FGB3245G2-F085

Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照