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    MOSFETs VBsemi NCE3010S

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    • 品       牌:VBsemi(微碧)
    • 型       号:NCE3010S
    • 商品编号:DS0142303
    • 封装规格:SOP-8
    • 商品描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):4.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6.8nC@5V 输入电容(Ciss@Vds):800pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):73pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
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    型号:NCE3010S
    MOSFETs
    MOSFETs VBsemi NCE3010S
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    NCE3010SVBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NCE3010S 价格参考¥ 。 VBsemi NCE3010S 封装/规格: SOP-8, 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):4.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6.8nC@5V 输入电容(Ciss@Vds):800pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):73pF@10V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)。你可以下载 NCE3010S 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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