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耗尽型场效应管 Toshiba TPH4R50ANH1,LQ(M

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品牌：Toshiba(东芝)
型号：TPH4R50ANH1,LQ(M
商品编号：DS0141999
封装规格：SOP-8
商品描述：耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ
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	型号：TPH4R50ANH1,LQ(M 品牌：Toshiba(东芝)	MOSFETs 耗尽型场效应管 Toshiba TPH4R50ANH1,LQ(M	数据手册	（起订）	---	当前型号	询价

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TPH4R50ANH1,LQ(M 由 Toshiba 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 TPH4R50ANH1,LQ(M 价格参考￥。 Toshiba TPH4R50ANH1,LQ(M 封装/规格： SOP-8, 耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ。你可以下载 TPH4R50ANH1,LQ(M 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

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品 牌：Toshiba(东芝)型 号：TPH4R50ANH1,LQ(M商品编号：DS0141999封装规格：SOP-8商品描述： 耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ 耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ 技术文档数据手册

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型号：TPH4R50ANH1,LQ(M
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商品描述：耗尽型场效应管 SOP Advance(N) VDS=10V ID=1.0mA RDS(ON) = 3.7 mΩ
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