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晶体管 Toshiba RN2967FE(TE85L,F)
- 品 牌：Toshiba(东芝)
- 型 号： RN2967FE(TE85L,F)
- 商品编号： G0370289
- 封装规格： SOT-563
- 商品描述： Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
- 商品详情
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-563 | |
零件状态 | 过期 | |
跃迁频率 | 200MHz | |
DC电流增益(hFE) | 80 | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | 2个PNP-预偏置 | |
集射极击穿电压Vce(Max) | 50V | |
安装类型 | SMT | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
Vce饱和压降 | 300mV | |
长x宽/尺寸 | 1.60 x 1.20mm | |
高度 | 0.55mm | |
引脚数 | 6Pin | |
集电极截止电流 (Icbo) | 100nA | |
功率耗散 | 100mW | |
集电极电流 Ic | 100mA | |
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商品介绍
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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RN2967FE(TE85L,F) 由 Toshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 RN2967FE(TE85L,F) 价格参考￥ 。 Toshiba RN2967FE(TE85L,F) 封装/规格： SOT-563, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6。你可以下载 RN2967FE(TE85L,F) 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 通用三极管 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： RN2967FE(TE85L,F)
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