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MOSFETs Vishay SIZ256DT-T1-GE3
- 品 牌：Vishay(威世)
- 型 号： SIZ256DT-T1-GE3
- 商品编号： DS0154502
- 封装规格：
- 商品描述： Dual N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
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原理图符号
封装
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最大漏源电压 | 70 V |
系列 | TrenchFET |
通道模式 | 增强 |
通道类型 | N |
安装类型 | 贴片 |
晶体管材料 | Si |
封装类型 | PowerPAIR 3 x 3S |
每片芯片元件数目 | 2 |
最大连续漏极电流 | 31.8 A |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.0176 Ω |
最大栅阈值电压 | 1.5V |
商品介绍
Dual N-Channel 70 V (D-S) MOSFET
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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