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晶体管 ROHM QS8M13TCR
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SMD8 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | - | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道和P沟道互补型 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28毫欧@6A，10V | |
阈值电压 | 2.5V@1mA | |
连续漏极电流 | 6A,5A | |
输入电容 | 390pF@10V | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
额定功率 | 1.5W | |
功率耗散 | 1.5W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@6A,10V | |
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商品介绍
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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