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晶体管 ON NTJD1155LT1G
- 品 牌：ON(安森美)
- 型 号： NTJD1155LT1G
点击复制 - 商品编号： G3176359
点击复制 - 封装规格： SOT-363
点击复制 - 商品描述： NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。
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NTJD1155LT1G 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 NTJD1155LT1G 价格参考￥ 。 ON NTJD1155LT1G 封装/规格： SOT-363, NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。。你可以下载 NTJD1155LT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： NTJD1155LT1G
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