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晶体管 TI TPS1101DRG4
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT96-1 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | - | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 15V | |
阈值电压 | 1.5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 11.25nC | |
连续漏极电流 | 2.3A | |
输入电容 | - | |
功率耗散 | 791mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90毫欧@2.5A，10V | |
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商品介绍
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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TPS1101DRG4 由 TI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 TPS1101DRG4 价格参考￥ 。 TI TPS1101DRG4 封装/规格： SOT96-1, MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC。你可以下载 TPS1101DRG4 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： TPS1101DRG4
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