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MOSFETs ON FQPF9N90CT
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT78 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | QFET® | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
Vgs(Max) | ±30V | |
阈值电压 | 5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 58nC | |
连续漏极电流 | 8A | |
输入电容 | 2.73nF@25V | |
极性 | 1个N沟道 | |
功率耗散 | 68W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4欧姆@4A，10V | |
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商品介绍
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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FQPF9N90CT 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FQPF9N90CT 价格参考￥ 。 ON FQPF9N90CT 封装/规格： SOT78, 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。。你可以下载 FQPF9N90CT 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FQPF9N90CT
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