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购物车 MOSFETs ON FDA24N50F 替代
- 品 牌：ON(安森美)
- 型 号： FDA24N50F
- 商品编号： G3820947
- 封装规格： TO-3P-3
- 商品描述： UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-3P-3 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | UniFET™ | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
阈值电压 | 5V@250µA | |
栅极电荷(Qg) | 85nC | |
连续漏极电流 | 24A | |
输入电容 | 4.31nF@25V | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
额定功率 | 270W | |
功率耗散 | 270W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@12A,10V | |
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商品介绍
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| 图片 | 型号/品牌 | 描述 | 技术文档 | 库存 | 参考价格 | 对比 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 型号：FDA24N50F 品牌：ON(安森美) | MOSFETs MOSFETs ON FDA24N50F | 数据手册 | （起订） | --- | 当前型号 | 询价 |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 4240（1000起订） | ¥0.00359 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00359 1000 +￥0.00355 2000 +￥0.00352 5000 +￥0.00350 | FDA24N50F(ON)和RC0603JR-07130KL(Yageo)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 270（500起订） | ¥0.00560 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00560 500 +￥0.00525 1000 +￥0.00473 5000 +￥0.00403 10000 +￥0.00361 | FDA24N50F(ON)和0603WAJ0134T5E(UniOhm)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 2823（1000起订） | ¥0.00883 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00883 1000 +￥0.00672 2000 +￥0.00665 5000 +￥0.00561 | FDA24N50F(ON)和AC0603JR-07130KL(YAGEO)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 0（500起订） | ¥0.00578 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00578 500 +￥0.00544 1000 +￥0.00493 5000 +￥0.00425 10000 +￥0.00384 | FDA24N50F(ON)和WR06X134 JTL(Walsin)的区别 | |
 | PIN to PIN | 贴片电阻 | 数据手册 | 2400（500起订） | ¥0.00544 ▼ 数量国内含税 100 +￥0.00544 500 +￥0.00511 1000 +￥0.00462 5000 +￥0.00396 10000 +￥0.00356 | FDA24N50F(ON)和RS-03K134JT(FH)的区别 |
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FDA24N50F 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDA24N50F 价格参考￥ 。 ON FDA24N50F 封装/规格： TO-3P-3, UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。。你可以下载 FDA24N50F 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FDA24N50F
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