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晶体管 Toshiba TPN4R712MD,L1Q
- 品 牌：Toshiba(东芝)
- 型 号： TPN4R712MD,L1Q
- 商品编号： G0321192
- 封装规格： PowerVDFN8
- 商品描述： MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
- 商品详情
- PDF数据手册
- 技术文档
- 相关问答
产品分类 | ||
封装/外壳 | PowerVDFN8 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | U-MOSVI | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | P沟道 | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
阈值电压 | 1.2V@1mA | |
连续漏极电流 | 36A | |
输入电容 | 4.3nF@10V | |
长x宽/尺寸 | 3.10 x 3.10mm | |
高度 | 0.85mm | |
引脚数 | 5Pin | |
极性 | 1个P沟道 | |
功率耗散 | 42W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.7毫欧@18A，4.5V | |
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商品介绍
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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TPN4R712MD,L1Q 由 Toshiba 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 TPN4R712MD,L1Q 价格参考￥ 。 Toshiba TPN4R712MD,L1Q 封装/规格： PowerVDFN8, MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV。你可以下载 TPN4R712MD,L1Q 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： TPN4R712MD,L1Q
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