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MOSFETs ROHM 2SK3018T106

  • 品       牌:ROHM(罗姆)
  • 型       号: 2SK3018T106
  • 商品编号: G0083793
  • 封装规格: SOT-323(SC-70)
  • 商品描述: N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):200mW

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

SOT-323(SC-70)

零件状态

Not For New Designs

系列

-

是否无铅

No

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

30V

阈值电压

1.5V

栅极电荷(Qg)

-

连续漏极电流

100mA

配置

单路

输入电容

13pF

类型

1个N沟道

原始制造商

Rohm Co.,Ltd.

原产国家

Japan

长x宽/尺寸

2.00 x 1.25mm

高度

0.90mm

引脚数

3Pin

存储温度

-55℃~+150℃

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

击穿电压

30V

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

4pF

充电电量

OriginalnC

额定功率

200mW

功率耗散

200mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

8Ω@4V,10mA

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商品介绍

N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):200mW

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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品牌:Yageo
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品牌:Samsung
封装/规格:0603
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图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:2SK3018T106
品牌:ROHM(罗姆)
MOSFETs
MOSFETs ROHM 2SK3018T106
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2SK3018T106ROHM 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2SK3018T106 价格参考¥ 。 ROHM 2SK3018T106 封装/规格: SOT-323(SC-70), N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):200mW。你可以下载 2SK3018T106 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: 2SK3018T106

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