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MOSFETs ON FQA8N100C
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产品分类 | ||
封装/外壳 | TO-3P-3 | |
零件状态 | 在售 | |
系列 | QFET® | |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
晶体管类型 | N沟道 | |
安装类型 | 插件 | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | |
漏源电压(Vdss) | 1KV | |
Vgs(Max) | ±30V | |
阈值电压 | 5V@250µA | |
连续漏极电流 | 8A | |
输入电容 | 3.22nF@25V | |
类型 | 1个N沟道 | |
极性 | 1个N沟道 | |
额定功率 | 225W | |
功率耗散 | 225W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.45Ω@10V,4A | |
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商品介绍
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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FQA8N100C 由 ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FQA8N100C 价格参考￥ 。 ON FQA8N100C 封装/规格： TO-3P-3, 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率系数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。。你可以下载 FQA8N100C 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： FQA8N100C
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