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图像仅供参考,请参阅产品规格书

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MOSFETs ON FQD13N06LTM 替代

  • 品       牌:ON(安森美)
  • 型       号: FQD13N06LTM
  • 商品编号: G3822678
  • 封装规格: TO-252(DPAK)
  • 商品描述: 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-252(DPAK)

零件状态

在售

系列

QFET®

是否无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+150℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

60V

阈值电压

2.5V@250µA

连续漏极电流

11A

输入电容

350pF@25V

类型

1个N沟道

极性

1个N沟道

额定功率

2.5W,28W

功率耗散

2.5W,28W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

115mΩ@10V,5.5A

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商品介绍

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
购买
型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:0603B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0603
¥0.0115
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数据手册
型号:CL10B104KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.01312
购买

替代参考( 推荐替代型号供参考,请核对商品参数后再下单 )

图片 型号/品牌 描述 技术文档 库存 参考价格 对比 操作
型号:FQD13N06LTM
品牌:ON(安森美)
MOSFETs
MOSFETs ON FQD13N06LTM
数据手册 (起订)
---
当前型号询价
型号: AOD444
品牌:AOS
PIN to PIN
MOSFETs
数据手册 2500(50起订)

¥1.97837 ▼

数量国内含税

5 +¥1.97837

50 +¥1.58170

500 +¥1.19971

1000 +¥1.18771

2500 +¥0.96960

FQD13N06LTM(ON)和AOD444(AOS)的区别
品牌:DIODES
PIN to PIN
MOSFETs
数据手册 20(30起订)

¥1.61209 ▼

数量国内含税

1 +¥1.61209

30 +¥1.55174

100 +¥1.43105

500 +¥1.31035

1000 +¥1.25000

FQD13N06LTM(ON)和DMN6068LK3-13(DIODES)的区别
品牌:ON
PIN to PIN
MOSFETs
数据手册 30(30起订)

¥2.97920 ▼

数量国内含税

1 +¥2.97920

30 +¥2.86720

100 +¥2.64320

500 +¥2.41920

1000 +¥2.30720

FQD13N06LTM(ON)和NTD3055L104T4G(ON)的区别
品牌:ON
PIN to PIN
MOSFETs
数据手册 63(30起订)

¥10.87500 ▼

数量国内含税

1 +¥10.87500

30 +¥10.50000

100 +¥9.75000

500 +¥9.00000

1000 +¥8.62500

FQD13N06LTM(ON)和NTD3055-094T4G(ON)的区别
品牌:ST
PIN to PIN
MOSFETs
数据手册 0(30起订)

¥2.72192 ▼

数量国内含税

1 +¥2.72192

30 +¥2.62806

100 +¥2.44034

500 +¥2.25262

1000 +¥2.15876

FQD13N06LTM(ON)和STD12NF06LT4(ST)的区别

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FQD13N06LTMON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FQD13N06LTM 价格参考¥ 。 ON FQD13N06LTM 封装/规格: TO-252(DPAK), 此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻,提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。。你可以下载 FQD13N06LTM 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: FQD13N06LTM

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