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MOSFETs MSKSEMI WPM2015-MS
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- 品 牌：MSKSEMI(美森科)
- 型 号： WPM2015-MS
- 商品编号： DS0189909
- 封装规格： SOT-23
- 商品描述： P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
- 商品详情
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产品分类 | ||
封装/外壳 | SOT-23 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | +150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110mΩ | |
阈值电压 | -0.4~-1V | |
栅极电荷(Qg) | 0.7nC | |
连续漏极电流 | 3A | |
配置 | 单路 | |
应用 | Consumer | |
输入电容 | 405pF | |
类型 | 1个P沟道 | |
原始制造商 | Mason semiconductor | |
原产国家 | China Taiwan | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 3.02 x 1.70mm | |
高度 | 1.15mm | |
引脚数 | 3Pin | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | |
应用等级 | Consumer | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | P-沟道 | |
栅极源极击穿电压 | ±8V | |
反向传输电容Crss | 55pF | |
额定功率 | 400mW | |
功率耗散 | 400mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@4.5V,2.8A | |
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商品介绍
P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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WPM2015-MS 由 MSKSEMI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 WPM2015-MS 价格参考￥ 0.1995 。 MSKSEMI WPM2015-MS 封装/规格： SOT-23, P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L。你可以下载 WPM2015-MS 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
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