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MOSFETs Infineon IPT015N10N5
- 品 牌：Infineon(英飞凌)
- 型 号： IPT015N10N5
- 商品编号： G4264205
- 封装规格： HSOF8
- 商品描述： MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:300A HSOF8
- 商品详情
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产品分类 | ||
封装/外壳 | HSOF8 | |
零件状态 | Active | |
是否无铅 | Yes | |
安装类型 | SMT | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5mΩ | |
阈值电压 | 3.8V@250μA | |
栅极电荷(Qg) | 169nC | |
连续漏极电流 | 300A | |
配置 | 单路 | |
输入电容 | 12nF | |
类型 | 1个N沟道 | |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | |
原产国家 | Germany | |
认证信息 | RoHS | |
长x宽/尺寸 | 10.12 x 10.60mm | |
高度 | 2.40mm | |
引脚数 | 8Pin | |
存储温度 | -55℃~+175℃ | |
元件生命周期 | Active | |
极性 | N-沟道 | |
击穿电压 | 100V | |
栅极源极击穿电压 | ±20V | |
反向传输电容Crss | 80pF | |
充电电量 | 169nC | |
额定功率 | 375W | |
功率耗散 | 375W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5mΩ@10V,150A | |
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商品介绍
MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:300A HSOF8
标准包装
标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时，包装类型（即卷、管、盘）可能会发生变化，以实际包装交货为准。
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IPT015N10N5 由 Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 corestaff 等渠道进行代购。 IPT015N10N5 价格参考￥ 9.3112 。 Infineon IPT015N10N5 封装/规格： HSOF8, MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:300A HSOF8。你可以下载 IPT015N10N5 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
手机版： IPT015N10N5
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