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MOSFETs Infineon IRF100S201

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产品分类

MOSFETs

封装/外壳

TO-263AB(D²PAK)

零件状态

Active

系列

HEXFET®,StrongIRFET™

是否无铅

Yes

晶体管类型

N沟道

安装类型

SMT

工作温度

-55℃~+175℃

湿气敏感性等级 (MSL)

1(无限)

漏源电压(Vdss)

100V

不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

-

阈值电压

4V

连续漏极电流

192A

配置

单路

输入电容

9.5nF

类型

1个N沟道

原始制造商

Infineon Technologies AG

原产国家

Germany

长x宽/尺寸

11.30 x 10.67mm

高度

4.83mm

引脚数

3Pin

元件生命周期

Active

极性

N-沟道

栅极源极击穿电压

±20V

反向传输电容Crss

310pF

充电电量

255nC

额定功率

441W

功率耗散

441W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)

4.2mΩ@10V,115A

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商品介绍

MOSFETs 100V 441W SMT TO263AB 192A N-Channel

标准包装

标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于制造商的标准包装的数量。当产品分解成较小数量时,包装类型(即卷、管、盘)可能会发生变化,以实际包装交货为准。
热销型号1 / 3
数据手册
型号:HQT-I01
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥19.9
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型号:HQT-T02
品牌:HQ
封装/规格:TOOL
¥25.00331
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数据手册
品牌:Yageo
封装/规格:0603
¥0.01054
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数据手册
型号:CL10A105KB8NNNC
品牌:Samsung
封装/规格:0603
¥0.02498
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数据手册
型号:0805B104K500NT
品牌:FH
封装/规格:0805
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型号:IRF100S201
MOSFETs
MOSFETs Infineon IRF100S201
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IRF100S201Infineon 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyrsarrow 等渠道进行代购。 IRF100S201 价格参考¥ 8.775 。 Infineon IRF100S201 封装/规格: TO-263AB(D²PAK), MOSFETs 100V 441W SMT TO263AB 192A N-Channel。你可以下载 IRF100S201 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



手机版: IRF100S201

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