图像仅供参考，请参阅产品规格书

MOSFETs Jingdao F12N65

数量国内含税
1+ ￥2.56877
30+ ￥2.47832
100+ ￥2.29742
500+ ￥2.11652
1000+ ￥2.02607

数量	国内含税
1+	￥2.56877
30+	￥2.47832
100+	￥2.29742
500+	￥2.11652
1000+	￥2.02607

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2279 （1起订）
批次：
超3年

华秋库存的价格参考：
数量	国内含税
1+	￥2.56877
30+	￥2.47832
100+	￥2.29742
500+	￥2.11652
1000+	￥2.02607

数量：

X2.56877（单价）「管装(TUBE)/50」

总价：

￥ 2.56877

加入购物车立即购买

品牌：Jingdao(晶导微电子)
型号： F12N65
点击复制
商品编号： DS0144267
点击复制
封装规格： TO220ABW
点击复制
商品描述： N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：40W

商品详情
技术文档
相关问答

热销型号1 / 3

图片	型号/品牌	描述	技术文档	库存	参考价格	对比	操作
	型号：F12N65 品牌：Jingdao(晶导微电子)	MOSFETs MOSFETs Jingdao F12N65 MOSFETs Jingdao F12N65	数据手册	2279（1起订）	¥2.56877 ▼ 数量国内含税 1 +￥2.56877 30 +￥2.47832 100 +￥2.29742 500 +￥2.11652 1000 +￥2.02607	当前型号	加入购物车

型号推荐
最新产品推荐
品牌分类

F12N65 由 Jingdao 设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过等渠道进行代购。 F12N65 价格参考￥ 2.56877 。 Jingdao F12N65 封装/规格： TO220ABW, N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：40W。你可以下载 F12N65 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程

手机版： F12N65

元器件商品 0

MOSFETs Jingdao F12N65

数量国内含税
1+ ￥2.56877
30+ ￥2.47832
100+ ￥2.29742
500+ ￥2.11652
1000+ ￥2.02607

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2279 （1起订）
批次：
超3年

品牌：Jingdao(晶导微电子)
型号： F12N65
点击复制
商品编号： DS0144267
点击复制
封装规格： TO220ABW
点击复制
商品描述： N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：40W

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）

元器件商品 0

MOSFETs Jingdao F12N65

数量国内含税1+￥2.5687730+￥2.47832100+￥2.29742500+￥2.116521000+￥2.02607

交货地： 1国内（含增税） 交期（工作日）： 立即发货

库存： 2279 （1起订） 批次： 超3年

近似替代型号（ 推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单 ）

数量国内含税
1+ ￥2.56877
30+ ￥2.47832
100+ ￥2.29742
500+ ￥2.11652
1000+ ￥2.02607

交货地：
1国内（含增税）交期（工作日）：立即发货

库存：
2279 （1起订）
批次：
超3年

近似替代型号（推荐替代型号供参考，请核对商品参数后再下单）